KB体育官网app下载电子特气行业深度报告：半导体新周期将至国产替代如火如荼
工业气体是现代工业的基础原材料，根据纯度和性能要求不同，大致可分为大宗气体和特种气体两大类。大宗气体包括空 分（氧气、氮气、氩气等）和合成气体（二氧化碳、氨气、甲烷、乙炔等），主要应用于炼钢、石油化工、机械制造等传统 领域，新能源产业高速发展打开了合成气体的新增长空间，其纯度要求一般低于 5N。特种气体可分为标准、高纯和电子特 气，其中电子特气市场规模占比超 60%，主要应用于集成电路、液晶面板、LED、光伏电池领域，纯度要求在 5N 及以上。
工业气体产品种类众多，作用各异，根据应用领域的不同，又可分为医疗、激光、食品和电子气体等，受益于国内半导体、 光伏电池等领域的高速发展，我国电子气体产业呈现较高的成长性。广义的电子气体包含电子大宗气体和电子特种气体， 前者指应用于电子产业的高纯度(≥5N)、高性能的氮气、氧气、氢气等大宗气体，后者指用于芯片制造过程中的氟碳类、 氟氮类、硅烷气、磷烷/砷烷、氢化物、光刻气(稀有气体)等高纯(≥5N)特种气体。
全球稳增长：根据 TECHCET 数据，2021 年全球电子气体市场规模约为 62.5 亿美元，同比增长近 7%，2017-2021 年复 合增速达 4.8%，预计到 2025 年将超 80 亿美元；其中，2021 年全球电子特气市场规模达 45.4 亿美元，yoy+8.4%，2017- 21 年 CAGR 约 5.3%，预计 2022 年市场规模达约 50 亿美元，到2025 年将超 60亿美元，行业整体呈现稳增长态势。 国内高成长：据亿渡数据统计，2021 年中国特种气体市场规模达 342 亿元，yoy+21.3%，其中电子特气市场规模达 216 亿元左右，yoy+24.1%，占全球电子特气市场份额的 70%左右。2016-2021 年，中国电子特气市场规模从 103 亿元增至 216 亿元，CAGR 达 15.96%，2020 年、2021 年同比增速均超 20%，SEMI 预计到 2025 年我国电子特气市场规模将提升 到近 317 亿元，五年 CAGR 约 16.14%，占全球电子特气市场份额仍不低于 70%。未来随着国内下游晶圆厂加速扩产，半 导体材料国产化进程的推进，国内自研自产的特种气体市场空间将被进一步打开。
从各类细分电子特气产品的市场规模来看，目前全球需求占比前三大的仍然是三氟化氮、六氟化钨和六氟丁二烯，根据 Linx Consulting 数据，2021 年全球电子特气市场规模中，三氟化氮达 8.8 亿美元，占比约 20%；六氟化钨达 3.4 亿美元， 占比约 8%；六氟丁二烯达3.1 亿美元，占比约 7%。
当前，国内特气市场整体平稳运行，部分电子特气因供需偏紧而高位维稳，根据气体信息数据，瓶装气电子级硅烷、三氟 化氮、四氟化碳、高纯氯气、电子级氯化氢、三氟化硼等厂家供货平稳，需求稳步增加，产品价格多高位维稳；氟化氢、 氯化氢等产品由于终端石化、玻璃、能源等行业需求尚未完全恢复，高位货源区特气价格窄幅下调。
从国内各种电子特气的具体情况来看，含氟特气（特别是三氟化氮、四氟化碳、六氟化钨）具有用量规模大、国产化率相 对较高的特点，主要是由于国内对三氟化氮等含氟特气的需求量大，早期严重依赖进口的局面限制了相关产业的发展，因 此在政策大力支持下，含氟特气成为中船重工 718 所首批研发的特气产品，从而加快实现了技术突破和国产替代。
1.3.1.1 三氟化氮：国产化较成功的特气，中短期供过于求，长期需求增势更为强劲
高纯三氟化氮（NF3）常温下具有化学惰性，高温下则比氧气更活泼、比氟更稳定，具有非常优异的蚀刻速率和选择性（对 氧化硅和硅的选择性），且在被蚀刻物表面不留任何残留物，可作为刻蚀剂用于芯片和液晶显示面板的加工，同时也是非常 良好的清洗剂，可提高清洗速率，主要用于化学气相淀积（CVD）装置的清洗。 三氟化氮作为目前应用规模最大的特气，出于国防产品研发需要，七一八所较早就开始从事其研发工作，属于国产化较为 成功的特气产品，目前已基本实现了在各应用领域的国产替代。 2017-2021 年，全球三氟化氮需求年复合增速约为 10.3%，供应年复合增速为 14.7%，整体供过于求；我国集成电路、显 示面板等下游产业高速发展，国内三氟化氮需求旺盛，2017-2021 年需求复合增长率达 23.60%，国内供应尚无法满足需求； 2022-2023 年随着国内企业中船特气（现有年产能 9250 吨，规划到 2023 年增加 3250 吨/年）、南大光电（现有 3800 吨/年，规划 2023-25 年新增 8200 吨/年）、昊华科技（现有 2000 吨/年，规划新增 3000 吨/年）较大规模三氟化氮项目的集中 投产，叠加海外 SK Materials、晓星、关东电化等企业产能释放，国内外三氟化氮市场短期将呈现供过于求的局面。
未来，随着集成电路制造厂产能逐步扩张，制程技术节点微缩、芯片尺寸缩小、3DNAND 多层技术发展，集成电路对精度 的要求提升，刻蚀KB体育官网app下载、沉积、清洗等次数增加，国内外三氟化氮需求增速有望超过供给增速，预计到 2025 年全球三氟化氮需 求量较 2020 年将扩大超一倍达到 6.37 万吨左右，2022-2025 年需求年复合增速预期达 15%左右，到 2025 年全球三氟化 氮需求量有望超过供给从而形成供需缺口；国内集成电路产业继续保持高发展，同时国产替代进程加速推进，或将为国内 三氟化氮市场需求带来更大的增长空间，假设 2023-2026 国内三氟化氮需求保持 25%左右的年复合增速，结合各企业产能 规划测算，2023-2024 年国内三氟化氮供需缺口有望进一步收窄KB体育官网app下载，到 2025年扭转为供不应求的局面。但考虑到近几年三氟 化氮市场竞争加剧，短期内整体仍将呈现供过于求的局面，因此预期价格或呈波动下降趋势。
六氟化钨可通过化学气相淀积法（CVD）形成金属钨，用该法制成的钨具有低电阻率、高抗电迁移性以及填充小通孔时具 优异平整性等优点，通过离子注入或 CVD 法在晶圆加工中形成的硅化钨或钨膜可作为集成电路的配线材料，用作电路互连 线和栅极，还可用于抗 X射线、γ射线的保护罩及高效太阳能吸收器生产中。 六氟化钨供需结构和三氟化氮类似，同时也是中船重工 718 所首批大力研发的特气产品，因此国产化率也较高，基本在各 领域实现了国产替代。从国内市场现状来看，2022 年由于中船特气、昊华科技等公司较大规模产能的释放，国内六氟化钨 呈现供过于求的局面；长期来看，国内集成电路产业正处高成长通道中，单张芯片层数用量增加，叠加下游产能扩张，预 计到 2025 年国内六氟化钨需求量将达 4500 吨，20-25 年复合增速达约 42%，超过供应增速，转为供不应求的局面。
从全球市场来看，根据 TECHCET 数据，2021 年全球六氟化钨需求量约为 5675 吨，供给量约 6497 吨（主要来自 SK Materials1800 吨/年、关东电化 1400 吨/年、厚成化工 720 吨/年等），总体供给仍大于需求；随着集成电路产业发展，3D NAND 层数从 32 层发展至 64、128 层，叠加存储芯片 DRAM、3D NAND 等产能拉升，六氟化钨用量有望大幅增加，预 计到 2025 年需求量将超 8900 吨，较 2020 年增长近 1 倍，20-25 年复合增速达约 14%，或将扭转当前的供需格局。
六氟丁二烯主要用作 3D NAND 的蚀刻气体，具有高选择性、高蚀刻精度、高蚀刻效率、低环境污染等优点，发展潜力大， 但由于制备过程多且复杂，具有一定技术壁垒，单价较高。预计 2026 年全球 NAND 销量较 2021 年增长 3 倍以上，除产 量增长外，未来随着 3D NAND 的堆叠层数由 128 层向 200 层以上迈进，蚀刻所耗用的气体量将不断增长。 根据产业在线 年及以前，六氟丁二烯国产化率不足 30%；2020 年起，随着半导体国产化浪潮的推进，大 大催生了含氟特种气体需求，国内厂商加大研发力度，逐渐扩大六氟丁二烯产能布局，六氟丁二烯国产化率有较大幅度的 提升，预估已达到 50%以上。当前，国内主要生产企业有中巨芯、中船特气、和远气体、南大光电等。
硅烷在半导体工业中主要通过气相淀积法制作二氧化硅薄膜、氮化硅薄膜、多晶硅隔离层、多晶硅欧姆接触层和异质或同 质硅外延生长原料、以及离子注入源和激光介质等，还可用于制作太阳能电池、光导纤维、LED 和 TFT-LCD 的外延片等。 电子级甲硅烷方面，自国内企业“硅烷科技”的相关产品实现量产后，我国硅烷产品逐步摆脱严重依赖进口的局面，同时 改变了硅烷气的供需结构和价格，当前我国国产硅烷气基本能满足太阳能电池、液晶显示面板、LED 领域的质量要求，但 在纯度要求更高（需电子级硅烷气）的大规模集成电路领域仍有较大提升空间。国内电子级甲硅烷主要生产商包括硅烷科 技、中宁硅业（多氟多子公司）、湖州迅鼎等，隆众资讯预计甲硅烷市场在 2023 年达到供需紧平衡，价格或能维持高位。
电子级乙硅烷方面，因其易分解的化学特性，在 PECVD/LPCVD 加工中成膜温度低、速率快、膜质量均匀，应用空间广阔， 由于生产难度较大，技术需外购。国外主要生产企业有液化空气和林德集团，2021 年全球六氯乙硅烷的市场规模约为 150 吨，预计 2025 年将超过 200 吨。目前国内可量产乙硅烷的企业较少，主要在产企业有湖州迅鼎 240吨/年（2019 年投产）， 全椒亚格泰一期 10 吨/年已通过环评、另有 10 吨/年拟建项目，中宁硅业（多氟多）远期规划建设 300 吨/年。 电子级二氯二氢硅、三氯氢硅、四氯化硅方面，主要可通过薄膜沉积和蚀刻工艺用于微处理器、逻辑芯片、存储芯片等半导体硅 片外延片的生产加工。其中，2021 年全球二氯二氢硅的市场规模约为 700 吨，预计 2025 年将超过 1200 吨。由于电子级产品生 产难度高，目前国内可量产企业较少，基本依赖进口，三孚股份、和远气体、沁阳国顺、中宁硅业、洛阳中硅、金宏气体等的百 吨级至千吨级项目正在规划建设中，预计 24-25 年相关项目的陆续投产将加快国内电子级硅烷气的国产替代进程。
砷烷、磷烷主要用于集成电路制造的掺杂工艺和 LED 的化学气相沉积工艺，是半导体领域加工制造过程中的关键材料之一， 其质量对电子器件良率和性能有直接影响，且国外对该类产品进行严格的出口限制，因此提升国内磷烷和砷烷的自主研发 生产能力具必要性。 根据 QY Research 数据，2022 年全球磷烷、砷烷产能分别约为 240 吨、135 吨，预计到 2028 年将分别达到 480 吨、 290 吨，2022-2028 年复合增长率分别为 12.25%、13.59%，保持稳健增长。国内磷烷和砷烷的产能增速更快。2022 年国 内高纯磷烷产能实现 102 吨，占全球比例为 42.51%；2024 年将达 212 吨，占全球比例为 55.79%；至 2028 年预计将达 到 292 吨，占全球比例上升至 60.83%，2022-2028 年复合增长率达 19.16%，增速高于全球水平。2022 年国内高纯砷烷 产能达约 50 吨，占全球比例为 37.03%；2024 年将达 160 吨，占全球比例为 60.38%；至 2028 年预计将达到 180 吨，占 全球比例再升至 62.07%，2022-2028 年复合增速达 23.80%，亦高于全球水平。
国内市场销售规模也呈快速增长趋势。根据 QY Research 数据，国内磷烷 2021 年市场规模约为 10802 万元，预计到 2028 年将达 33000 万元，全球占比将达到 46.02%；国内砷烷 2021 年市场规模为 8412 万元，预计 2028 年将达到 15880 万元，全球占比将达到38.93%，中国将成为磷烷、砷烷的主要销售地区。 磷烷、砷烷易燃易爆剧毒，国内生产企业较少，目前主要生产企业是南大光电，其子公司全椒南大光电于 2013 年成立， 现已具备 70 吨高纯磷烷、30 吨高纯砷烷产能；2022年募投项目将新增高纯磷烷、高纯砷烷各 70 吨/年产能（含 20吨/年 砷烷技改项目）。此外，华特气体有 10 吨磷烷和 10 吨砷烷年产能，但磷烷为外购其他企业副产磷烷后纯化所得，砷烷为 采购充装性质，其本身并不合成磷烷、砷烷。未来随着南大光电等国内企业新增产能的不断释放，我国磷烷、砷烷国产替 代进程有望再推进。
稀有气体（氦、氖、氩、氪、氙）除了氩气在空气中的体积含量达约 0.93%，其他 4 种之和在空气中的占比不足 0.003%， 氙和氪被称为“黄金气体”。国内稀有气体市场广阔，但严重依赖进口，据百川统计，2014-2022 年我国稀有气体进口数量 从 2895 吨增至 4073 吨，年均复合增速为 4.36%，除 2022 年外，进口量自 2018年以来整体已呈逐年下行态势，其中占 据绝大部分稀有气体进口量的氦气在 2021 年半导体行业需求高增的情况下，进口量（3682.68 吨）仍同比下降了 0.67%， 侧面反映出国内提氦项目已逐步进入投产期，国产替代进程加快。进口金额方面，2014-2022 年我国稀有气体进口额从 1.65 亿美元增长至 5.42 亿美元，年均复合增速达 16.03%；进口国家方面，主要进口自卡塔尔，占比超80%。
乌克兰占全球氖气产量的 50%-70%，全球氪气和氙气产量的 40%和 30%，2021 年下半年-2022 年上半年俄乌战争导致 Ingas、Cryoin 和 Iceblick 三家稀有气体业务生产地布局在乌克兰的公司被迫停产，全球稀有气体货源紧张，叠加半导体、 光伏等产业需求增加，推动稀有气体价格在此期间高涨；2022 年下半年需求弱势影响下，稀有气体价格已回落至较低的水 平；2023 年 2 月，Ingas 公司负责人称，在乌克兰控制区的备用工厂生产恢复取得新进展。
海外生产稀有气体的企业有林德集团、太阳日酸、韩国 TEMC 和生产地位于乌克兰的 Cryoin、Ingas 和 Iceblick 等公司。 国内为逐步摆脱稀有气体资源匮乏，长期严重依赖进口的局面，企业正加速布局氦/氖/氪/氙等气体的产能规划，目前国内 生产稀有气体的企业主要有凯美特气（现有产能 22.465 万方/年，计划 23Q2 新增 9 万方空分稀有气体产能），华特气体 （新建 135 吨/年稀有气体，建设期 2 年），盈德气体（拟分期建设两套亚太区单体最大的氪氙精制装置）等，宝武清能 （拟规模化布局稀有气体产能，22 年内增长约 46%的氙气产能）。 其中，华特气体的光刻气（稀有气体和氟气等的混合气，Ar/Ne/Xe、Kr/Ne、F2/Kr/Ne、F2/Ar/Ne 等）通过了 ASML 和日 本 GIGAPHOTON 的认证，是国内唯一一家通过两大海外光刻领域龙头企业认证的公司；凯美特气的光刻气产品在 2023 年 2 月也通过了 ASML 子公司 Cymer 的合格供应商认证，踏出了其打入头部光刻企业供应链的关键一步。
电子特气作为芯片加工的“血液”，基本贯穿晶圆制造全流程，具体包括生产外延片、清洗、沉积和氧化成膜、光刻、刻蚀、 掺杂（离子注入/扩散）等环节，各环节特气纯度均会对最终出厂晶圆的精度和性能造成影响，因此半导体领域对特气纯度 和精度要求较高（工艺尺寸缩小、堆叠层数增加，部分环节需要多次重复，对特气的需求也就越大）；同时电子特气也可作 用于光伏电池和 LCD 液晶面板生产中的刻蚀、扩散环节，作为原料在光伏电池表面生成“减少反射膜”，或作为保护气和 设备清洗气。下文将主要围绕晶圆生产过程，详细介绍电子特气在晶圆加工各环节中的作用原理。
外延沉积位于硅片初生产环节，指在衬底硅片上镀上一层单晶薄膜（外延硅膜、氧化硅膜、氮化硅膜、非晶硅膜）作为缓 冲层阻止有害杂质进入晶圆衬底。常用的方法有化学气相沉积法（CVD）和物理气相沉积法（PVD），化学气相沉积法需 用到大量电子气体，是指气体混合物（也称外延气，组分特气甲硅烷、乙硅烷、氯硅烷、二氯二氢硅、5N以上高纯氯化氢、 锗烷和稀释气氦/氩/氢/氮的混合气）和 MO 源（高纯金属有机化合物）发生化学反应，生成固态膜沉积在硅片表面，含硅 薄膜制备具有生长速率快、结晶质量好等特点。CVD 具体流程通常包括气体传输至沉积区域、膜先驱物的形成、膜先驱物 附着在硅片表面、膜先驱物粘附、膜先驱物扩散、表面反应、副产物从表面移除、副产物从反应腔移除等八个主要步骤。 化学气相沉积膜中所有的物质都源于外部气源，原子或分子会沉积在硅片表面形成薄膜。 注：外延片的作用是在电阻极低的衬底上生长一层高电阻率外延层，器件制作在外延层上，这样高电阻率的外延层保证了 晶体管间有高的击穿电压，而低电阻的衬底又降低了基片的电阻，从而降低了饱和压降，在两者间形成了平衡。
光刻：包括涂敷光刻胶、前烘、曝光、显影、坚膜等工序，即在硅片表面覆盖一层具有高度光敏感性光刻胶，再用光线 （一般是紫外光、深紫外光、极紫外光）透过掩模照射在硅片表面，被光线照射到的光刻胶会发生反应形成交联结构，此 后用特定溶剂洗去被照射（正性光刻，曝光部分的光刻胶易溶于显影液，形成图形与掩模版上相同，小尺寸高端芯片多使 用该方法）/未被照射的光刻胶，进而实现设计好的电路图从掩模板到晶圆表面的转移。 光刻过程中一般用到的电子特气为光刻混合气（Ar/F/Ne 、Kr/Ne 、Ar/Ne 、Kr/F/Ne 混合气等），这种混合气体在高压受 激发后，就会形成等离子体(部分电子被剥夺后的原子及原子团被电离后产生的正负离子组成的电中性离子化气体状物质)， 在这个过程中，由于电子跃迁，会产生固定波长的光线，激发出来的紫外光线经过聚合、滤波等过程就会产生光刻机的光 源，再经过复杂的光路对硅晶圆进行光刻。
刻蚀是指采用物理或化学方法，从衬底上的晶体薄膜有选择地去除材料，从而使掩膜图形正确复制在硅片薄膜上。常见的 刻蚀方法分为干法化学刻蚀和湿法化学刻蚀，湿法刻蚀是利用液态化学试剂或溶液通过化学反应进行刻蚀；干法化学刻蚀 是利用低压放电使导入气体产生等离子体中的离子或游离基，进而与材料发生化学反应，产生带电离子、分子、电子及化 学活性很强的原子（分子）团，当产生的原子（分子）团扩散到被刻蚀膜层的表面时，会与硅片上的单晶薄膜反应生成具 有挥发性的物质，并被真空设备抽离排出。干法刻蚀的优点是各向异性 (即垂直方向刻蚀速率远大于横向速率)明显、特征 尺寸控制良好、化学品使用和处理费用低、蚀刻速率高、均匀性好、良率高等，常用的干法刻蚀是等离子体刻蚀。 硅片刻蚀气体主要为氟基气体。常见的氟基气体包括 CF4、SF6、C2F6、NF3，以及氯基（Cl2）气体和溴基（Br2、HBr） 气体等。在刻蚀工艺中，O2 和 H2 会被适当地加入，并参与辅助反应，从而达到调节离子浓度，影响刻蚀速率的目的。
掺杂是指将需要的杂质掺入特定的衬底基片中，形成 pn 结、电阻、欧姆接触等，从而改变半导体电学性质的过程。掺杂工 艺主要有扩散和离子注入（杂质掺入量可精准控制、重复性好、加工温度低，已成为主流技术），扩散是在 900-1200℃的 高温和不同浓度梯度的 p 型（硼）或 n 型（砷、磷）杂质气氛下，使掺杂源向衬底的确定性区域扩散，III（硼类）、V （砷 类、磷类）族元素占据硅原子位置形成 pn结的过程；离子注入是直接将具有很高能量的杂质离子射入半导体衬底中，注入 能量一般在 1KeV-1MeV，对应的平均离子分布深度在 10nm-10um 间。 p 型半导体是在硅(锗)单晶中掺入少量三价元素硼(或铝、铟、镓等)，常用的三价掺杂气体有三溴化硼、三氟化硼、乙硼烷 等；n 型半导体是在硅(锗)单晶中掺入少量五价元素磷 (或砷、锑等)，常用的五价掺杂气体有磷烷、三氯氧磷、三氟化磷、 五氟化磷、砷烷、五氟化砷、五氯化锑等。
从电子特气的应用结构来看，全球电子特气 70%以上应用于集成电路领域，我国电子特气 42%用于集成电路、37%用于显 示面板、13%用于光伏电池，应用结构上的差异一方面是超大规模集成电路对电子特气的质量要求高，而目前国内企业特 气产品在纯度和性能上与海外成熟气体生产商尚有差距；另一方面国内集成电路发展进程较海外相对滞后，半导体材料尚 处于高成长周期中，因此国内仍有较大比例特气产品用于对纯度要求相对低的显示面板和光伏电池领域，未来随着国内企 业电子特气产品在生产技术、纯度、品质等方面的持续突破，其在集成电路领域的应用规模和渗透率有望再提升。
半导体周期拐点将至，新一轮上行周期待开启。半导体产业长周期（也称为产品创新周期）即半导体产品从研发到规模化 应用的跨期，代表了新技术的全面迭代，以全球半导体销售额增速来看，每 8-10 年呈现一个 M 型波段，当前处于 5G/6G 技术、AloT/AIGC 应用时代，海外头部企业已实现 EUV 型光刻胶量产，国内部分企业实现了 ArF 光刻胶的量产，芯片技术 向超越摩尔定律发展，全球 12 英寸晶圆、7nm 芯片渗透率逐步提升。 半导体中周期（设备投资周期或称产能周期、朱格拉周期），以全球半导体产业资本开支的增速来看，每 3-5 年呈现一个山 峰型波段，根据波段的划分，预期 24 年将开启新一轮产能周期。半导体短周期与库存情况和供需结构挂钩，一般在 2-3 年， 分为主动补库、被动补库、主动去库、被动去库四个阶段， 2021 年半导体行业供需错配带来缺芯涨价潮，厂家纷纷加大 芯片产能规模，导致 2022 年下半年芯片供过于求，23Q1 半导体库存高位，现阶段行业整体仍处于去库中（23H2 主动去 库为主），预期 2023 年下半年需求渐修复、库存逐步去化（24H1 被动去库至库存出清），行业有望迎来供需结构改善、价 格上行、业绩增加的拐点，预期 2024 年有望开启新一轮半导体库存周期。
半导体材料市场规模呈现周期性波动增长的态势，2018-2021 年全球和我国大陆半导体材料市场年复合增速分别在 6.8%和 11.9%，其中，集成电路领域占据了 80%以上的半导体材料市场，除 2022 年受疫情和 21 年厂家大幅扩产影响需求低迷、 芯片库存高企，其余年份我国集成电路销售额增速均超 15%，整体较全球增速更高。
我国芯片仍以进口为主，国产替代空间大。根据 IC Insights 数据，2021 年我国芯片市场需求总规模约为 1870 亿美元，其 中在我国大陆生产的 IC 规模约为 312 亿美元，占比约 16.7%，其余 83.3%的需求依赖于进口。进一步来看，在中国大陆 制造的价值 312 亿美元的芯片中，台积电、SK 海力士、三星、英特尔、联电和其他在中国大陆拥有晶圆厂的海外企业生 产了价值 189 亿美元的芯片，占比约 60.6%，总部位于中国大陆的国内公司生产了价值约 123 亿美元的芯片，占比约 39.4%，在中国大陆 1865 亿美元的芯片消费市场当中占比 6.6%，这意味着我国 IC 实际的自给率仅为 6.6%左右，IC 国产 替代之路任重而道远，国内企业的国产替代空间广阔。 全球晶圆产能正逐步向我国转移，2015-2021 年，中国大陆生产的晶圆产能在全球的占比从 9.7%逐步升至 16%，据 SEMI 预计，到 2024 年将进一步提高到 20%左右。同时，我国新建晶圆厂的增加将带动国内晶圆产能上行，国产晶圆制造材料 需求空间有望进一步打开。据 SEMI 在 22 年初统计的数据，彼时中国大陆共有 23 座 12 英寸晶圆厂正在投产，总计月产能 约为 104.2 万片，与总规划月产能 156.5 万片相比，产能装载率为 66.58%，仍有扩产空间；SEMI 预计中国大陆 2022 年2026 年还将新增 25 座 12 英寸晶圆厂，总规划月产能将超过 160 万片；预计到 2026 年底，中国大陆 12 英寸晶圆厂的总 月产能将超过 276.3 万片，相比 22 年初提高 165.1%；在全球的比重也将自 2022 年的22%，提升至 2026 年的 25%。
电子特气作为半导体加工中的重要原料，在晶圆制造材料细分市场中的规模占比约为 4%，主要作用在刻蚀、掺杂、外延沉 积等环节。集成电路制造涉及上千道工序，基底晶圆加工中需使用上百种电子特种气体，未来随着国内高精度芯片处理器 技术迭代和市场发展，AI 应用场景的不断落地，国内集成电路产业发展将成为带动电子特气需求上行的主要驱动力，同时 随着国内头部特气生产企业技术突破、纯度提高、产品矩阵不断完善，电子特气的国产替代空间也有望进一步打开。
电子特气在芯片加工中的需求测算：根据论文《Life cycle assessment of silicon wafer processing for microelectronic chips and solar cells》，测算得到每平方米 DRAM 存储电路和逻辑电路晶圆加工所需要的大宗特气约为 1070.6 千克和 3332.8 千克，所需电子特气约为 913.4 克和 2842.0 克。逻辑芯片和存储芯片在集成电路中的合计规模占比超 6 成，未来 随着 5G 和车载电子的高速发展，晶圆制造工厂产能扩张、集成电路制程技术节点微缩、3D NAND 多层技术的发展，芯片 的工艺尺寸缩小、堆叠层数增加，集成电路制造中进行刻蚀、沉积和清洗的步骤增加，电子特气用量还将不断提升。
国内半导体市场空间广阔，国产芯片产能持续扩张；特气贯穿晶圆加工全流程，需求将不断增加。通过我们的梳理，国内 企业扩建的逻辑和存储芯片项目中，按计划在 2022H2-2025 年间投产放量的项目超 20 个，预计到 2025 年新增产能合计 将达 374.1 万片/月，结合表 47 给出的单平米逻辑和存储电路的晶圆加工过程中所需的特气用量，测算出国内企业扩产逻 辑芯片共需大宗特气约 68.88万吨、电子特气 587.36 吨；扩产存储芯片需大宗特气 5.62 万吨、电子特气 47.99 吨。
集成电路用电子特气市场规模：根据前瞻产业研究院数据显示，2020 年我国集成电路用电子气体的市场规模为 76 亿元， 2021 年增长至为 85 亿元，预计 2025 年市场规模将达 134 亿元，2021-2025 年复合增长率为 12.05%。根据 ICMTIA 统 计数据，中国集成电路用电子气体中，电子特种气体市场规模约占 64%。 根据国际半导体产业协会数据，2021 年全球晶圆制造用电子气体市场规模达 45.4 亿美元，同比增长 3.9%；根据高禾投资 研究中心预测数据，至 2028 年全球晶圆制造用电子气体市场规模达59.1 亿美元，年复合增长率为 3.84%。
2022 年 12 月，微软投资的 AI创业公司 OpenAI 推出聊天机器人 ChatGPT，微软Azure 为 OpenAI 开发的超级计算机是一 个单一系统，具有超过 28.5 万个 CPU核心、1万个 GPU 和 400 GB/s 的 GPU 服务器网络传输带宽，以此来支撑 GPT的 大算力需求。ChatGPT 发布后，国内的百度 “文心一言”、阿里“通义千问”、腾讯“混元”、网易“伏羲”、科大讯飞“星 火认知”、商汤日日新等大模型也相继发布。AI 模型对算力的需求主要体现在训练和推理两个层面，2021 年中国人工智能 服务器工作负载中，57.6%的负载用于推理，42.4%用于模型训练；据 IDC 预计，到 2026 年 AI 推理的负载比例将进一步 提升至 62.2%。通过测算，GPT-3 模型训练约需 1.87 万颗 A100 GPU，推理（单月）需 4057.65颗 A100 GPU 芯片。 据外媒 semianalysis 报道，ChatGPT 每天在计算硬件方面的运营成本约 69.4 万美元，Open AI 需要大约 3617 台 HGX A100 服务器（28936 个 GPU）为 ChatGPT 提供服务。根据测算，假设 GPT 模型在 10 天内完成训练，可支撑单月 6.16 亿次使用量（每次回复时间 1s），则共需约 22725 颗 A100 GPU 芯片量，目前 GPU 芯片持有量超过 1 万枚的企业不超过 5 家，其中，拥有 1 万枚英伟达 A100 GPU 的企业至多只有 1 家，高端芯片呈供不应求局面。ChatGPT兴起带动 GPU 需 求增加，未来相关技术广泛应用仍需要大算力支撑，或将驱动芯片产业链开启新增长极。
全球显示面板行业在经历了 2020Q1-2021Q2 供需两旺的涨价周期后，在 2022年由于全球经济较疲软、疫情冲击、供应过 剩等因素的影响，价格步入下行周期，相关企业经营业绩遭受了较大的压力，根据中国光学光电子行业协会液晶分会统计 数据，2022 年全球显示市场产值约为 1998 亿美元，同比下降超 20%；其中，显示器件（面板）产值约 1100 亿美元，同 比下降近 27%；显示材料产值约 766 亿美元，同比下降近 13%；显示装备产值约 120 亿美元，同比下降超 9%。 2023 下半年或将是显示面板产业新一轮上行周期的起点。当前，全球液晶显示器面板价格企稳，电视面板价格已全线调涨， 新一轮涨价周期开启，预期 2023 年下半年显示面板市场或将迎来改善。
根据 Omdia 针对显示器生产与库存追踪的最新研究表示，受益于 LCD 电视、手提电脑、显示器面板和智能手机 LCD 面板提高产能利用率方面仍面临挑战（预计 2023 年上半年 OLED 生产商的平均产能利用率仍不足 60%），下半年面板产业加速 回暖，新一轮上行周期开启，或将驱动 OLED 产能利用率也有所回升。
国内市场显示出更为强劲的增长韧劲。2022 年，国内显示行业产值近 5000 亿元，在全球市场的占比超过 38%，投资结构 方面也有了明显改善，投资方向从 LCD 向更高技术含量的高性能 OLED、Micro LED 及部分上游材料转移，未来国内面板 市场将向更高附加值的产品逐步迭代，同时在全球的占比也将进一步提高。 从全球显示面板产能分布来看，有较为明显的向我国转移的趋势。根据 DSCC 数据，近年来国内面板企业快速增加第六代 柔性 OLED 产线，我国 OLED 市场份额快速提升，2023 年国内企业在全球柔性 OLED 产能中的占比有望超过 50%；在中 国面板厂商占据主导地位的液晶显示器（LCD）产能中，预计到 2027 年中国企业份额将提高至 70%以上；显示面板总产 能中（包括 OLED 和 LCD），2023 年中国面板企业占据 60%左右的市场份额，预计从 2024 年起将保持在70%左右。
据国家能源局统计，2022 年我国光伏新增装机量达 87.41GW，同比增长 59.2%，其中分布式光伏占比持续提升至近 70%， 是推动光伏装机量快速增加的重要增长极；2022 年我国光伏电池产量达 343.64GW，同比增长 46.8%。随着“十四五”时 期加快推进双碳战略的达成，各省积极布局光伏建筑一体化、大型风光基地建设等举措，截至 2022 年底，全国 25 个省已 发布明确的“十四五”期间新增光伏装机规划，合计达 344GW。 2023 年光伏需求增势保持强劲，一季度全国光伏新增装机并网 33.66GW，同比高增 154.81%；一季度我国光伏电池产量 达 105.26GW，同比增长 53.2%。据 CPIA 预测，2023 年我国光伏新增装机保守预测为 95GW，乐观预测为 120GWKB体育官网app下载，叠 加一定规模的出口预期，预计 2023 年我国光伏电池产量将达近 445GW，同比增加 29.4%。
电子特气在晶硅太阳能电池和非晶硅薄膜光伏电池的生产中都必不可少，比如硅烷作为一种提供硅组分的气体源，是将硅 分子附着于电池表面最有效的方式，是其他硅源无法取代的特气产品；硅烷、磷化氢、硼烷、氢气等作为沉积气体，可用 于非晶硅薄膜太阳能电池制造；含氟电子特气或强腐蚀性酸碱常作为光伏电池制造中的刻蚀剂。国内外光伏市场需求前景 向好，国内光伏电池产量增势强劲，电子特气在光伏领域的需求有望稳步上行。
电子特气的研究、生产、销售具有资金投入大、技术门槛高、用户认证周期长等特点，因此该行业具有较高的进入壁垒。
电子特气对纯度的要求较高，特别是用在半导体加工中，一般需达到 5N 级、6N 级及以上的纯度要求，因此其制备中最主 要的环节除了合成外还包括纯化，此外，气体混配（组分配制）、气瓶处理（存储运输）、分析检测等环节对最终产品精度、 纯度均有影响，因此也是特气生产中不可忽视的重要环节。当前，国内头部电子特气生产企业的产品纯度以 5N 为主，有 企业可实现 7N 级高纯大宗气体的生产，但 6N 及以上的电子特气仍主要依赖进口；国内企业在配气误差、研磨光洁度、腐 蚀性气体量值变化、气体检测精度等方面有了一定提升，但仍有再优化空间。
集成电路制程技术的不断迭代，从大规模向超大规模和极大规模发展，晶圆尺寸从 4 寸、6 寸、8 寸向 12 寸、14 寸突破， 芯片线nm 突破，高端芯片对特气的纯度要求也在不断提升，特气纯度每提升一个 N 级， 粒子、金属杂质含量浓度每降低一个数量级，都将带来工艺复杂度的显著提升；混合气配比方面，随着产品组分的增加、 配制精度的上升，其配制过程的难度与复杂程度也显著增大。
电子特气的主要合成方法有电解法、化学法和电解-化学法等，主要纯化方法有吸附法、精馏法、吸收法、膜分离法以及可 满足更高纯度要求的离心法、吸气剂法、催化净化法及冷冻法等。国内企业主要采用精馏、吸附等方式提纯，更高纯度要 求技术的产业化应用仍有待突破。目前国内在新技术研发上有了一定突破，中船重工( 邯郸) 派瑞特气的徐海云等采用乙醇 钠-无水乙醇溶液对一氟甲烷粗气进行吸收处理，该法能够有效吸收一氟甲烷粗气中的酸性杂质并降低含水量，再通过精馏 等过程可制得电子级一氟甲烷；昊华气体的张金彪等采用活性金属 Cu、Mn 与 Ca、Al、Zn 的混合物（Cu+Mn 质量分 数>
50%）对四氟化碳粗气中的三氟化氮杂质在催化剂（铬或镍的氟化物）作用下进行氟化，该方法最终可将四氟化碳中的 三氟化氮杂质含量降至 1×10-6 以下。
特气的质量对集成电路、显示面板产品的精密度影响极大，因此下游客户尤其是集成电路、显示面板、光伏能源、光纤光 缆等高端领域客户对气体供应商的选择均需经过审厂、产品认证 2 轮严格的审核认证，其中光伏能源、光纤光缆领域的审 核认证周期通常为 0.5-1 年，显示面板通常为1-2 年，集成电路领域的审核认证周期长达 2-3 年。 目前，华特气体、金宏气体、中船特气等头部气体厂商已成为中芯国际、长江存储、华虹半导体等国内集成电路生产企业 的特气主要供应商，同时产品陆续获得了台积电、联华电子、德州仪器、海力士等海外领先企业的认证，部分产品已进入 相关企业供应链，未来随着国内特气企业产品矩阵的完善，一体化供应服务的优化，有望进一步成为国内外集成电路、显 示面板等生产企业的核心供应商。
梳理国内上市的气体公司新增的特气项目资本开支和生产周期可见，电子特气项目具有投资金额大、投资回收期长的特点， 项目平均生产周期在 2-3 年，拟投入金额基本都超亿元规模，平均投资回收期在 5-6 年。但是随着国内半导体国产替代进 程加快，下游产能规模的不断扩大，国内电子特气需求增加，且高壁垒下特气产品具高毛利高回报特点，因此国内气体企 业通过定增和发行可转债募资等方式积极进行电子特气产能扩张、品类拓展，其中，华特气体、凯美特气、金宏气体、南 大光电、和远气体、昊华科技等均有超 10亿元规模的资金投入到新增电子特气项目中，资本开支率处于较高水平。
国外头部气体企业发展历史悠久，多以大宗气体生产和设备制造起家，在大宗工业气体领域基本已形成寡头垄断格局，因 资金实力雄厚、研发能力强，拓展的电子特气品种也相对齐全，且规模大、纯度高。海外著名的气体生产企业有林德集团、 液化空气、空气化工、大阳日酸，在电子特气领域有较强竞争力的海外企业有 SK Materials（三氟化氮、六氟化钨主要供 应商）、日本关东电气（提供三氟化氮、四氟化碳、六氟乙烷等含氟特气）、昭和电工（高纯四氟甲烷、三氟甲烷、六氟乙 烷、三氯化硼等）等，前四大企业（林德、液化空气、空气化工、大阳日酸）占据了全球电子气体 70%以上市场份额。 国内电子特气产业起步较晚（从国内外各气体企业成立时间来看，较海外晚 50-100 年左右）、技术力量较薄弱、产品矩阵 和一体化服务方面有待完善，经过近几十年的发展，国产电子特气在研究上已取得一定进展，但在产品性能与生产规模方 面，与国外头部企业相比尚存差距，2020 年海外龙头企业仍占据了我国 80%以上的市场份额，国产替代之路任重而道远。
国外气体企业规模大、业务广，2000 前后几大跨国巨头企业大举投资收购中小区域性气体厂商，同时构建气体一体化服务 体系，设备制造和气体生产运输等多项服务并举，进一步扩展业务规模，提升市场集中度，强化马太效应，从而奠定了全 球工业气体行业寡头垄断的格局。其中，林德气体在 2000-2018 年间陆续收购瑞典 AGA、英国 BOC 等，并与美国普莱克 斯合并成为最大的工业气体集团；法国液化空气在 2007-2020 年间收购了德国 Lurgi 和美国 Airgas 等；空气化工公司以提 供气体服务起家，拓展气体设备制造业务，巩固行业领先地位。
4.2 借鉴海外产品多元化、服务一体化模式，以差异化竞争实现各特气国产替代
国内气体行业有望迎来集中度的提升和竞争格局的改善。参考海外经验，目前国内的华特气体和杭氧股份已有制气和设备 制造一体化发展的举措，2023 年 5 月杭氧股份（空分设备龙头）和盈德控股（工业气体头部供应商）公布预计将在 3 年内 完成股权整合；国内金宏气体、凯美特气等做传统大宗气体起家的公司在扩大原有业务产能的同时，积极布局高端特气产 品，优化盈利结构。 同时，国内企业在特气产品研发生产上进行差异化竞争，各企业侧重的研发项目各异，金宏、华特、凯美等企业高度重视 研发能力，逐年提高研发支出，积极推进先进电子材料生产技术突破，目前已在多项制备及纯化工艺上达到了国际领先水 平，同时在多类电子特气产品上完成了自主研发生产，实现了进口替代，未来将向更多品类、更高纯度的特气产品突破。
国内企业大力布局高纯特气研发项目，未来三年有望实现多种电子特气进口化率的重大突破。国内以华特、金宏、凯美、 南大光电、中船特气等为代表的企业，已实现了包括高纯三氟化氮、高纯六氟化钨、高纯四氟化碳、高纯六氟乙烷、光刻 气、高纯二氧化碳、高纯一氧化碳、高纯氨、高纯一氧化氮、高纯三氟甲烷、高纯八氟丙烷、锗烷、高纯乙烯、高纯甲烷、 高纯六氟丁二烯、高纯磷烷、高纯砷烷、电子级正硅酸乙酯等在内的众多产品的进口替代。 同时，在电子级六氟丁二烯的提纯工艺，八氟丙烷合成与纯化工艺，电子级氧化亚氮、高纯三氟化氯、高纯一氟甲烷和半 导体级四氟化硅等的研发，八氟环丁烷用新型吸附剂的研发，稀混光刻气的研制，锗烷纯化及锗烷混合气分析技术研发， 氦氮氩混合气混配技术开发与研究等多项高新技术上实现了进口替代，部分研发技术达到了国内领先乃至国际领先的水平。
4.3 把握地域和成本优势，全国范围广覆盖仓储和销售网络，集中化率有望提升
气体的供应模式主要有大宗供气、零售供气。海外气体巨头企业的大宗供气主要用大型现场制气，在用户现场投资空分设 备直接供气，或通过管道为一定区域内用户供气，合同期较长，通常为 10 年以上，可满足大型客户长期需求。目前国内企 业供气仍以零售供气为主，可分为瓶装供气和储槽供气，一般储槽气为外购，瓶装气为自产，瓶装气体主要满足现货市场 需求，适合小批量气体用户；液体槽车适用于中等批量需求客户或用气需求波动较大、对多种气体有零碎需求的客户。 电子特气的需求具有多品种、小批量、高频次特征，多采用瓶装气模式，且因高技术壁垒、高附加值而受运输半径长成本 高的限制相对小（但从海外运至国内的半径过长带来的高成本和及时性上仍有诸多不便），客户更关注产品的质量和稳定性， 销售网络可覆盖全国乃至海外市场。
外资企业在中国的发展战略主要定位于现场制气市场，瓶装、储槽气受限于运输半径，有一定的区域特征，要求供应商有 较强的供应保障和本地化服务能力，因此国内气体供应商在中国市场有天然的供货及时性和运输成本上的竞争优势。 海外企业向国内供应气体装置和原料的运输周期长、成本高，例如林德集团从美国向上海港船运气体原料需 1 个月左右， 从欧洲向上海港运输气体原料需 35 天左右，再由上海港向其在中国的各地工厂运输原料又需一周左右，但由国内企业自产 原料和气体成品，并向各地输气供气，则极大减少了运输时间和物流成本，例如华特气体在半径 200 公里内均可一日送达。
国内气体企业以所在地为圆心，制气和仓储工厂全面覆盖华东/华中/华南/华北各地为主，运输范围辐射至全国各地；但各 企业重点布局区域有异，以此进行空间上的差异化竞争。瓶装气和储槽气市场在我国出现时间较晚，市场尚未饱和，加之 地域性强，因此各区域存在大量中小气体经销商，市场集中度仍较低，区域整合空间大。此外，特种气体进出口受严格管 制，近年来我国陆续发布一系列鼓励特气产品自主研发生产的政策，推动国内企业加快突破高纯特气高进口依赖局面。
公司是国内领先的特气研发生产商，成立自 1999 年，2005 年确立以特气作为研发方向，2011 年以半导体用特气作为主攻 方向，率先实现高纯六氟乙烷、高纯一氧化氮等特气量产，并逐步实现了高纯六氟乙烷、高纯三氟甲烷、高纯四氟化碳、 高纯二氧化碳、高纯一氧化碳、高纯八氟丙烷、八氟环丁烷、稀混光刻气等 50 余种产品的进口替代，2022 年公司的高纯 碳氢、高纯含硅气体、高纯三氟化氯、高纯六氟丙烷等产品研发取得进一步突破，以期打破日韩等国外企业的垄断，截至 22 年在研项目新增至 53 个，公司取得的生产、经营资质覆盖产品种类超过100 种。 2017 年和 2021 年，公司自主研发的光刻混合气先后通过了全球最大光刻机制造商 ASML 和 EUV 开发商 GIGAPHOTON 的认证，是目前国内唯一一家光刻气产品同时通过两大头部外企认证的公司。2022 年公司为扩大特种气体产能，拟通过发 行可转债的方式募集资金不超过 6.46 亿元，主要用于建设年产 1764 吨高纯特气项目，建设期 2 年。
2022 年公司营收和归母净利润分别达 18.03 亿元和 2.06 亿元，同比增长 33.84%和 59.47%，其中光刻及其他混合气体业 务营收近 6 亿元，同比增长近 2 倍，占比达 33.2%；氢化物营收近 2.2 亿元，yoy+42.8%，占比 12.02%。23Q1 公司实现 营收和归母净利 3.59 亿元和 0.40 亿元，同比-6.41%和+2.17%。随着公司产品结构改善，特气营收占比提升，公司销售毛 利率自 2021 年以来呈现上升趋势（从 2021 年的 24.19%升至 23Q1 的30.25%）。
公司成立于 1999 年，起步于液化空分气体和电解水制氢项目，2010 年电子级超纯氨投产后，进军电子气体赛道。公司的 产品线较广，既生产超纯氨、高纯氧化亚氮、正硅酸乙酯、高纯二氧化碳、高纯氢等特种气体，又供应应用于半导体行业 的电子大宗载气，以及应用于其他工业领域的大宗气体和燃气，旗下品类超100 多个。 根据公司 22 年年报披露的产能规模，现有设计年产能超纯氨 1.2 万吨、氢气 6.18km3、氮气 3.726 万吨、氧气 1.48 万吨、 普通二氧化碳 12 万吨、高纯二氧化碳 1.1 万吨、天然气 1 万吨，以大宗气体为主；预计 2023 年公司将新增更多电子特气 产品，其中年产能 200 吨全氟丁二烯、100 吨一氟甲烷、500 吨八氟环丁烷、200 吨二氯二氢硅、50 吨六氯乙硅烷的在建 项目预期将在 2023 年完工投产，新扩建产品均是国内产能较少、进口依赖度高的品类，该项目的实施有助于我国本土企业 打破外企在电子特气领域的长期垄断，提升半导体先进材料的自主可控能力。
公司特气和大宗气体业务同步发展，产能规模持续扩大，2022 年实现营收 19.67 亿元，yoy+12.97%，其中大宗气体营收 7.92 亿元，yoy+13.3%，占比 40.26%；特种气体营收 7.44 亿元，yoy+12.90%，占比 37.82%；实现归母净利润 2.29 亿 元，yoy+37.14%。2018-2022 年公司营收和归母净利年复合增速分别达 16.45%和 13.31%。2023 年一季度，公司特种气 体营收占比升至 48.80%（2022 年为 37.82%），大宗气体占比 41.32%，公司总营收达 5.18 亿元，同比增加 16.25%；归 母净利润达 0.60 亿元，同比高增 55.46%。此外，公司合理把控成本费用，21 年以来销售毛利率和净利率均呈逐步回升态 势，截至 23Q1 分别达 38.11%和 12.34%。
公司成立于 2003 年，液化空分气体起家，2006 年涉足管道供气和现场制气领域，逐步形成“瓶装气体、液态气体、现场 制气、管道供气”四大服务于客户的供气模式，同时在 2012 年从工业气体向清洁能源产业拓展。截至目前，公司产品不仅 包括氧气(42万吨/年)、氮气(53万吨/年,在建 18 万吨预计 23 年 12月完工)、氩气(8500 吨/年,在建 2 万吨预计 2023 年 10 月完工)、纯氨(20 万吨/年)、二氧化碳等大宗气体，氢气（9440 万 Nm3 /年,产能利用率 19.42%待提升）、液化天然气等清 洁能源，随着宜昌电子特气及功能性材料产业园和潜江电子特气产业园项目的建成投产，公司还将新增电子特气及电子化 学品、硅基功能性新材料等多种产品品类，两大产业园产能将在 2023 年陆续释放。
2022 年公司潜江电子特气项目投产放量，工业氨业务规模大幅增加，同时特气业务营收占比有所提高，22 年实现总营收 13.2 亿元，yoy+33.3%，受毛利率下滑和资产减值损失影响，归母净利同比下降。2023 年，除了潜江项目高纯氨、工业氨 和电子级高纯氢产品产能释放外，公司宜昌电子特气及功能性材料产业园项目也将陆续投产放量，产品结构完善的同时， 业务规模也将进一步扩大。23Q1 公司实现营收 4.1亿元，同比增加34.0%；实现归母净利 0.3 亿元，同比增加18.5%。
公司孵化自国家 863 计划的 MO 源研究课题组，是国内首家 MO 源自主生产商；同时在国家“02-专项”（《极大规模集成 电路制造装备及成套工艺》项目）的支持下，公司产品不断向砷烷/磷烷等特种气体、ALD/CVD 金属有机前驱体、ArF 光刻 胶等扩展，逐步成为国内先进电子材料核心供应商。 在电子特气业务方面，2013 年公司获国家 02-专项高纯特气项目支持，启动大规模砷烷/磷烷的研发工作；2016 年成功解 决困扰国内 30 年的高壁垒特种气体产品-高纯砷烷/磷烷的研发和产业化问题，目前已成为国内砷烷和磷烷的头部生产企业； 2019 年 8 月收购山东飞源气体，进军氟类电子特气领域（主要是三氟化氮），2022 年底新建成 2000 吨三氟化氮产能。
随着公司三氟化氮、六氟化硫和高纯磷烷/砷烷扩建和技改项目的陆续投产放量，公司特气类产品营收占比不断提高，从 2019 年的 51.8%提高至 2022 年的 75.6%，特气类产品技术壁垒高，具有高毛利率特征，2020-2022 年公司特气产品毛利 率呈现逐年上升趋势（分别达 43.6%、45.0%、48.9%），23Q1 受下游半导体产业去库周期影响，毛利率有所下滑，但在 费用端有效控制下，公司销售净利率仍高升至 23.8%。预期 2024 年半导体产业库存全面去化，新一轮上行周期开启，电 子特气需求增加，价格有望重回上升通道，公司特气业务盈利能力有望提升。
近年来，随着公司 MO 源、特气、半导体前驱体、光刻胶几大先进电子材料业务的拓展，产能规模的不断扩大，公司营收 和净利呈现逐年高增长态势。2022 年，公司实现营收 15.8 亿元，同比增加 60.6%；实现归母净利润 1.9 亿元，同比增长 37.1%。2023 年一季度，受到终端半导体晶圆需求较弱影响，营收 4.0 亿元，yoy-3.1%；归母净利润 0.7 亿元，yoy-7.1%。
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